A flashmemória leváltására készül az Intel

Több évtizedes fejlesztés érik be, ha a lapkagyártó végre megjelenteti a flashmemóriánál sokkal gyorsabb és tartósabb fázisváltó modulokat.

Az Intel mérnökeinek már a kezében van a közkedvelt tárolóeszköz lehetséges utódjának prototípusa - derült ki egy múlt héten lezajlott Flash Memory Summit konferencián a CNET híradása szerint. Az újítás pedig nem már, mint a PCM, vagyis Phase Change Memory (másnéven PRAM, PC-RAM), amely eredetét tekintve több mint negyven évre tekint vissza: ekkor írta le ugyanis az eszköz működési elvét egy litván-amerikai tudós, Stanford R. Ovshinsky, amivel Intel-alapító Gordon Moore is foglalkozott.

A fázisváltó memória egy, a CD-lemezek anyagához hasonló rétegben tárolja az adatokat, amely azzal a különleges tulajdonsággal bír, hogy hő (jelen esetben elektromosság) hatására megváltozik a szerkezete: az anyag kristályos helyett amorf állapotba kerül. Az Intel és partnere, az STMicroelectronicsegyelőre 90 nanométeres gyártástechnológiával készült prototípusokat készített az eszközből, aminek a méretét még szeretnék csökkenteni, és továbbra sem árulták el, mikor dobják majd piacra az eszközt, de az elemzők biztosra veszik, hogy még idén elérhető lesz.

A PCM ugyan valamivel több áramot fogyaszt majd, mint a flash, de akár százezerszer gyorsabb, mint elődje, és jóval tartósabb is: míg a most használt NAND-modulok 10-100 ezer átírást bírnak ki, addig a fázisváltó memória törlés nélkül írható át, akár százmilliószor is. Az új technológiával a Samsung is kísérletezik, a koreai gyártó 2008-ban tervezi piacra dobni saját termékét.