Vékonyabb MOS-tranzisztorok<BR/>

A szilícium-dioxid már nem sokáig lesz alkalmas az egyre kisebb MOS-tranzisztorok kapuelektródjához, túl vékony rétegben ugyanis már nem működik kielégítően. A Motorola kutatói ötéves kutatás után egy perovszkit (kalcium-titanát) jellegű anyagot, a stroncium-titanátot találták alkalmasnak arra, hogy elkészítsék a világ legvékonyabb tranzisztorát.

Az új szigetelőanyagoknak sokkal nagyobb dielektromos állandóval kell bírniuk ahhoz, hogy a kapuelektródot vékonyabb rétegben is szigeteljék, vagyis azonos teljesítményű, de kisebb méretű tranzisztorokat állíthassanak elő. Ilyen anyagokat sok kutatóhelyen keresnek.

Az amerikaiak a stroncium-titanátot találták a legkedvezőbbnek. Ebben, akár a többi perovszkit-jellegű anyagban, a hat oxigénatomból álló, oktahedron alakú elemi rácsba egy fématom (ezúttal titán) van bezárva, úgy, hogy csak kevéssé mozoghat. Ettől lesz nagy a dielektromos állandó. A stroncium-titanáté 150-200, vagyis olyan nagy érték, hogy a mérése is nehéz. Összehasonlításul: a szilícium-dioxidé 4 alatti.

Az új anyag előállításához új eljárást kellett kidolgozni a stroncium-titanát kristály növesztéséhez a szilícium-dioxid felületén.

Ajánló:

Korábban:

A számítógépes chip-ek növekvő teljesítménye részben annak köszönhető, hogy az egyes áramköri elemek méretei csökkennek. Ha így megy tovább, tíz éven belül egy tranzisztor már csak 150 atomnyi hosszúságú és 50 atomnyi vastagságú lesz.